SK하이닉스, 'SEDEX 2026'서 3D D램·HBF 로드맵 공개

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SK하이닉스, SEDEX 2026서 3D D램·HBF 차세대 메모리 로드맵 공개

▲안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 14일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘반도체대전(SEDEX) 2026’에서 ‘AI 시대, 메모리 기술의 진화 방향’을 주제로 기조연설을 하고 있다. / 사진=SK하이닉스


SK하이닉스는 안현 개발총괄 사장(CDO)이 'SEDEX 2026' 기조연설에서 인공지능(AI) 추론 시장의 급격한 성장에 따른 새로운 메모리 병목을 진단하고, 이를 해결하기 위한 차세대 메모리 기술 로드맵과 메모리 계층 최적화 전략을 제시했다고 14일 밝혔다.

안 사장은 'AI 시대, 메모리 기술의 진화 방향'을 주제로 한 기조연설에서 AI 추론 수요 확대에 따라 기존 메모리 계층의 성능과 용량 측면에서 새로운 병목이 발생하고 있다고 설명했다. 과거의 '메모리 장벽'이 연산기와 메모리 사이에서 발생했다면, AI 시대에는 서로 다른 메모리 계층 간 데이터 이동 자체가 새로운 병목으로 부상했다는 진단이다.

이에 따라 SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 기술 경쟁력을 고도화하는 한편, '3D Stacked DRAM'과 'HBF(High Bandwidth Flash)' 등 새로운 메모리 계층을 구축해 AI 인프라 전반의 성능과 에너지 효율을 높인다는 전략이다.

3D Stacked DRAM은 GPU·NPU 등 로직 반도체 위에 DRAM을 적층해 연산기와 데이터 간 물리적 거리를 줄이는 기술로, SRAM과 HBM 사이의 성능 병목을 해결한다. HBF는 TSV 적층 및 고속 입출력(I/O) 기술을 낸드플래시에 적용해 HBM과 DRAM 사이에 배치하는 차세대 메모리로, 동세대 HBM 대비 절반 수준의 대역폭과 약 10배의 용량을 제공하는 것을 목표로 한다. SK하이닉스는 HBF의 선제적 표준화와 글로벌 파트너 협업을 추진할 계획이다.

SK하이닉스, SEDEX 2026서 3D D램·HBF 차세대 메모리 로드맵 공개

▲서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘반도체대전(SEDEX) 2026’의 SK하이닉스 부스 전경 / 사진=SK하이닉스


한편 SK하이닉스는 국내 최대 반도체 전시회 'SEDEX 2026'에 참가해 고성능 D램과 기업용 SSD(eSSD), PC·모바일용 메모리 및 스토리지 설루션 등을 선보였다.

서버용 D램에서는 AI 워크로드에 맞춰 업계 최대 용량을 구현한 '256GB 3DS RDIMM', 고대역폭을 제공하는 '128GB MRDIMM', 세계 최초로 10나노(㎚)급 6세대(1c) 공정을 적용한 '64GB RDIMM' 등을 공개했다.

eSSD 제품으로는 액체냉각(Direct Liquid Cooling, DLC)을 지원하는 'PEB210 E1.S 9.5㎜'와 'PEB210 M.2 2280', SK하이닉스 최초로 QLC(Quadruple Level Cell) 기반으로 개발한 'PS1101 E3.S 7.5㎜' 등을 소개했다.

PC 및 모바일 분야에서는 DDR5 CSODIMM, GDDR7, LPDDR5X, LPDDR6 등 다양한 D램 제품과 PCB01 M.2 2280, PVF01 M.2 2242, PQF02 M.2 2230 등 PC용 SSD와 UFS4.1, UFS5.0 등 모바일 낸드 설루션도 전시했다.

박혜연 기자 phy@datanews.co.kr