SK하이닉스, 2세대 10나노급 D램 개발…내년 1분기 공급

1세보다 생산성 20% 높이고 전력소비 15% 이상 줄여

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하정숙 기자

ylgm1@datanews.co.kr | 2018.11.12 14:56:43
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▲SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급(1y) DDR4 D램 / 사진=SK하이닉스


[데이터뉴스=하정숙 기자] SK하이닉스(대표 박성욱)은 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8기가비트 DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다. 

2세대 제품은 1세대(1x)보다 생산성을 약 20% 높였으며, 전력소비는 15% 이상 줄였다. 데이터 전송속도도 DDR4 규격이 지원하는 최고속도인 3200Mbps까지 안정적으로 구현할 수 있다.

이 제품에는 데이터 전송속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’ 설계기술을 적용했다. 

이는 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존보다 두 배로 늘려 제품의 동작속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 

SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 ‘센스 앰프(Sense Amp) 제어기술’도 도입했다. 

이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장된 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 센스 앰프의 성능을 강화하는 기술이다. 

김석 SK하이닉스 DRAM마케팅담당 상무는 “이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.

ylgm1@datanews.co.kr

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